Nuovo stabilimento StM nell'Etna Valley

Nuovo stabilimento StM nell'Etna Valley

Sarà Microelectronics, la joint venture italo-francese di semiconduttori, a costruire a Catania un impianto integrato per la produzione di substrati in carburo di silicio (SiC) per supportare la domanda crescente di questi dispositivi per applicazioni automotive e industriali.
Un progetto che ammonta a 730 milioni di euro in cinque anni, con il contributo dello Stato (292,5 milioni di euro nell’ambito del “Pnrr”, approvati dalla Commissione europea attraverso il “Recovery and Resilience Facility”) e genererà circa 700 posti di lavoro.

L’impianto di produzione di substrati in SiC sarà il primo del genere in Europa per la produzione in volumi di substrati epitassiali da 150 mm e integrerà tutti i passaggi del flusso produttivo. StM è impegnata a sviluppare substrati da 200 mm in futuro.

"Il nuovo impianto sarà fondamentale per la nostra integrazione verticale nel SiC, ampliando la nostra fornitura di substrati in una fase in cui aumenteremo ulteriormente i volumi per sostenere la transizione da parte dei nostri clienti dei settori automotive e industriale verso l’elettrificazione e maggiore efficienza", dice l’A.d. della STM, Jean-Marc Chery, che definisce il progetto 'cruciale' nella prospettiva ambiziosa della società di toccare oltre 20 miliardi di ricavi. "Il via libera europeo al potenziamento della StM di Catania è una bellissima notizia", aggiunge il ministro dello Sviluppo economico, Giancarlo Giorgetti. "Come Mise abbiamo seguito con attenzione e discrezione il processo che va nella direzione auspicata dell’indipendenza italiana ed europea nel settore della microelettronica, obiettivo a cui il ministero ha lavorato con altre iniziative: dall’Importante progetto di comune interesse europeo nella Microelettronica, ai Contratti di sviluppo fino agli Accordi di innovazione per il settore. Oggi vediamo i primi frutti di questo lavoro".

Un progetto che rafforzerà la catena di approvvigionamento dei semiconduttori in Europa.